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Circuito amplificador diferencial hi-frec 15V NTE906

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Agotado

Marca: NTE SKU: NTE906
Descripción



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NTE906
Circuito integrado
Amplificador diferencial dual de alta frecuencia

Descripción:
El NTE906 es un circuito integrado en un paquete de tipo TO5 de 12 derivaciones que consta de dos
amplificadores diferenciales con transistores de corriente constante asociados en un sustrato monolítico común. Los seis transistores que comprenden los amplificadores son dispositivos de uso general que exhiben
bajo ruido 1 / f y un valor de fT superior a 1 GHz. Estas características hacen que el NTE906 sea útil desde DC
a 500MHz. Se han omitido los sesgos y las resistencias de carga para proporcionar la máxima flexibilidad de aplicación.

La construcción monolítica del NTE906 proporciona una estrecha coincidencia eléctrica y térmica de los amplificadores. Esta característica hace que este dispositivo sea particularmente útil en aplicaciones de doble canal donde
Se requiere un rendimiento combinado de los dos canales.

caracteristicas:
Ganancia de energía: 23dB (Typ) @ 200MHz
Figura de ruido: 4.6dB (Typ) @ 200MHz
Dos amplificadores diferentes en un sustrato común
Entradas y salidas accesibles independientemente

Clasificaciones máximas absolutas: (TA = + 25 ° C a menos que se especifique lo contrario)

Disipación de energía, PD

Cualquier transistor 300mW

Paquete total 600mW

Reducción por encima de + 55 ° C 5mW / ° C

Rango de temperatura de funcionamiento, Topr €“55 ° a + 125 ° C

Rango de temperatura de almacenamiento, Tstg €“65 ° a + 150 ° C

Se aplican las siguientes clasificaciones para cada transistor:

Voltaje del colector-emisor, VCEO 15V

Voltaje de colector-base, VCBO 20V

Voltaje del colector €“ sustrato (Nota 1), VCIO 20V

Emisor-Voltaje base, VEBO 5V

Corriente de colector, IC 50mA

Nota 1. El colector de cada transistor está aislado del sustrato por un diodo integral. El sustrato (Pin9) debe estar conectado al punto más negativo del circuito externo para mantener
aislamiento entre transistores y para proporcionar una acción de transistor normal.