NTE310

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$680.00
ninguna
Thyristor,Reverse-Conducting,800V V(Drm),To-66

NTE310
Tiristor / Rectificador Integrado (ITR)
Desvío horizontal de TV e interruptor de rastreo

Índices absolutos máximos:
Pico repetitivo hacia adelante apagado-estado y voltaje inverso, VDRM, VRRM 800V
RMS On – State Current, ITRMSM, IFRMSM 8A
Corriente media en estado (TC = + 80 ° C), ITAVM, IFAVM

Tiristor 3.4A

Diodo 3.45A

Corriente repetitiva pico en estado, ITRM, IFRM 50A

Corriente de sobretensión (t = 10 ms, tvi = + 100 ° C), ITSM, IFSM

Tiristor 80A

Diodo 60A

Tasa no repetitiva de aumento de la corriente de estado activado, di / dtcrit 500A / µs

Tasa de aumento repetitivo de la corriente de estado activado (ITM = 20A, tvi = + 100 ° C, VDM = 640V), di / dtcrit
(Datos del generador de impulsos: vL = 8V, iK = 0.25A, diG / dt ≥ 0.25A / µs)
fo = 50Hz 300A / µs
fo = 16kHz 100A / µs

Tasa de aumento del voltaje en estado apagado (tvi = + 100 ° C, VD = 536V), dv / dtcrit 400V / µs

Tasa de aumento de voltaje posterior a la corriente de estado previo activada, dv / dtcrit
tvi = + 100 ° C, VD = 536V 200V / µs

Pérdidas de potencia de la puerta de pico (tg ≤ 10µs), PGM 10W

Pérdida total de energía de la puerta media para un ciclo, PG 2W

Rango de temperatura de funcionamiento, Topr –40 ° a + 100 ° C

Rango de temperatura de almacenamiento, Tstg –40 ° a + 130 ° C

Resistencia Térmica, Unión a Caja, RthJC 2.3 ° C / W

Resistencia Térmica, Unión a Ambiente, RthJA

Sin disipador de calor 35 ° C / W

En aleta de enfriamiento vertical 60 mm x 60 mm x 1,5 mm, Al o Cu, superficie rugosa 10 ° C / W

Características electricas:

Voltaje máximo en estado activado (tvi = + 25 ° C, iT = iF = 10A), VT, VF

Tiristor 2.16V

Diodo 2.2V

Tensión umbral, V (TO)

Tiristor 1.6V

Diodo 1.4V

Resistencia a la pendiente delantera, rT, rF

Tiristor 53Ω

Diodo 70Ω

Características eléctricas (Cont.):

Voltaje máximo de disparo de puerta (tvi = + 25 ° C, VD = 6V, RA = 20Ω), VGT 2.0V

Voltaje mínimo de activación de puerta (tvi = + 100 ° C, VD = 6V, RA = 20Ω), VGT 0.1V

Corriente máxima de activación de puerta (tvi = + 25 ° C, VD = 6V, RA = 20Ω), IGT 50mA

Corriente de retención máxima (tvi = + 25 ° C, VD = 6V, RA = 20Ω), IH 100mA

Corriente de bloqueo máxima (tvi = + 25 ° C, VD = 6V, RGK ≥ 20Ω), IL 210mA
(Datos del generador de impulsos: iG = 0.25A, diG / dt = 0.25A / µs, tg = 4µs)

Capacitancia típica, ánodo-cátodo a voltaje cero (tvi = + 25 ° C, fo = 16kHz),Cero 250pF

Carga máxima de retraso (tvi = + 100 ° C, iFM = 10A, –diF / dt = 10A / µs), QS 0,96 µAs

Corriente máxima de estado desactivado hacia adelante y corriente inversa (tvi = + 100 ° C, vD = 800V), iD, iR 1.5mA

Tiempo máximo de retardo controlado por puerta (tvi = + 25 ° C, VD = 536V, iTM = 5A), tgd 0.8µs
(Datos del generador de pulsos: iG = 0.25A, diG / dt = 0.5A / µs)

Tiempo máximo de apagado de pulso (tvi = + 100 ° C), tqp 2.9µs

Tiempo típico de apagado de pulso (tvi = + 80 ° C, fo = 16kHz), tqp 1,8 µs

Pico de voltaje máximo de encendido (tvi = + 25 ° C, iFM = 1A, diF / dt = 5A / µs), uFRM 3V

Tiempo máximo de recuperación inversa (tvi = + 25 ° C, iFM = 10A, –diF / dt = 10A / µs), trr 0.7µs

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