NTE320

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NTE320 transistores de potencia NPN de silicio diseñados para señales grandes de 12.5V VHF

Descripción:
El NTE320 y el NTE320F son transistores de potencia NPN de silicio diseñados para señales grandes de 12.5V VHF
Se requieren aplicaciones de amplificador en equipos comerciales e industriales que operan a 300MHz.
caracteristicas:
Especificado 12.5V, 175MHz Características:
Potencia de salida: 40 W
Ganancia mínima: 4.5dB
Eficiencia: 70%
Disponible en dos estilos de paquete diferentes:
T72 Stud Mount: NTE320
Montaje de brida W52K: NTE320F
Índices absolutos máximos:
Voltaje del colector-emisor, VCEO: 18V
Voltaje base del colector, VCBO: 36V
Emisor – Voltaje base, VEBO: 4V
Corriente continua de colector, IC: 7A
Disipación total del dispositivo (TC = + 25 ° C, Nota 1), PD: 80W
Reducción por encima de 25 ° C 460mW /: ° C
Rango de temperatura de almacenamiento, Tstg: –65 ° a + 200 ° C
Par de apriete (solo NTE320, nota 2) 6.5in. lb:
Nota 1. Estos dispositivos están diseñados para funcionar con RF. Se aplica la clasificación de disipación total del dispositivo.
solo cuando los dispositivos funcionan como amplificadores de RF.
Nota 2. Para el montaje repetido, use 5 pulg. lb.
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