NTE333

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NTE333 Transistores NPN de silicio Potencia de salida de RF

NTE333
Transistores NPN de silicio
Potencia de salida de RF
Descripción:
Los NTE333 y NTE334 están diseñados para aplicaciones de amplificadores de potencia en aplicaciones industriales, comerciales y
equipo de radioaficionado a 30MHz.
caracteristicas:
  Características especificadas de 12.5 voltios, 30MHz
Potencia de salida = 60 vatios
Ganancia mínima = 13dB
Eficiencia = 55%
Índices absolutos máximos:
Voltaje del colector-emisor, VCEO: 18V
Voltaje del colector-emisor, VCES: 36V
Voltaje base del emisor, VEBO: 4V
Corriente de colector: continua, IC: 15A
Disipación total del dispositivo (TC = + 25 ° C), PD: 175W
Reducción por encima de 25 ° C 1.0W /: ° C
Rango de temperatura de almacenamiento, Tstg: -65 ° a + 150 ° C
Resistencia térmica, unión a caja, RthJC: 1.0 ° C / W

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