NTE387

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ninguna

NTE387 Transistor de silicio NPN Amplificador de potencia

NTE387
Transistor de silicio NPN
Amplificador de potencia, interruptor
caracteristicas:
Alto voltaje de sostenimiento del colector-emisor
Alta ganancia de corriente DC
Bajo voltaje de saturación del colector-emisor
Tiempos de cambio rápidos
Índices absolutos máximos:
Voltaje del colector-emisor, VCEO. . . . . . . . . . . . . . . 150V
Voltaje base-colector, VCB. . . ... . . . . . . . . . . . . . 180V
Emisor-Voltaje base, VEB. . . . . . . . . . . . . . . . . . . 6V
Corriente de colector, IC
Continuo. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 50A
Pico . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 100A
Corriente base continua, IB. ... . . . . . . . . . . . . . . . 20A
Disipación total del dispositivo (TC = + 25 ° C), PD. . . . . . . . 250W
Reducción por encima de 25 ° C 1.43W /. . . . . . . . . . . . . . . . . . . ° C
Rango de temperatura de unión operativa, TJ. . . . . . –65 ° a + 200 ° C
Rango de temperatura de almacenamiento, Tstg. . . . . . . . . . . . . –65 ° a + 200 ° C
Resistencia térmica, unión a caja, RthJC. . . 0,70 ° C / W
Nota 1. Los pares coincidentes están disponibles a pedido (NTE387MP). Los pares emparejados tienen su ganancia
especificación (hFE) con un 10% de diferencia entre sí.

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