NTE485

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ninguna

NTE485 Transistor de silicio NPN Salida de potencia de RF para uso móvil

NTE485
Transistor de silicio NPN
Salida de potencia de RF para uso móvil,
PO = 25W @ 866MHz
Descripción:
El NTE485 es un transistor plano epitaxial de silicio NPN que fue diseñado para aplicaciones de amplificador
en el rango de frecuencia 806−866MHz. La coincidencia de entrada interna y la configuración de base común aseguran una ganancia y eficiencia óptimas en toda la banda de frecuencia.
caracteristicas:
* Diseñado para equipos de comunicaciones móviles de 800 MHz
* 25W Min., Con ganancia mayor a 5.5dB
* Resiste VSWR infinito en condiciones de operación nominales
* La entrada interna coincide con "Q sintonizado"
* Configuración básica común
Índices absolutos máximos:
Voltaje base de colector, VCBO: 36V
Voltaje del colector-emisor, VCEO: 18V
Voltaje base del emisor, VEBO: 4V
Corriente máxima del colector, IC: 7.5A
Disipación total del dispositivo (a + 25 ° C), Ptot: 70W
Temperatura de unión de operación, TJ: + 200 ° C
Rango de temperatura de almacenamiento, Tstg: -65 ° a + 200 ° C
Resistencia Térmica, Unión a Caja, RthJC: 2.5 ° C / W

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