NTE5475

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NTE5475 Rectificador Controlado de Silicio 500V V(Drm) 5A I(T)

NTE5475
Rectificador controlado de silicio (SCR)
5 amperios, TO64
Descripción:
Los NTE5470 a NTE5476 son rectificadores controlados de silicio PNPN multipropósito en un tipo TO64
Paquete de montaje con perno adecuado para aplicaciones industriales y de consumo.
caracteristicas:
 Activación uniforme de la puerta inmune al ruido de bajo nivel
 Voltaje bajo "ENCENDIDO" hacia adelante
 Alta capacidad de sobretensión
Clasificaciones máximas absolutas: (Aplicar sobre el rango de temperatura de funcionamiento a menos que se especifique lo contrario)
Voltaje máximo de bloqueo repetitivo hacia adelante y hacia atrás (Nota 1), VDRM, VRRM
NTE5470. . . . . . . . . . . . . . . . 50V
NTE5471. . . . . . . . . . . . . . . 100V
NTE5472. . . . . . . . . . . . . . . 200V
NTE5473. . . . . . . . . . . . . . . 300V
NTE5474. . . . . . . . . . . . . . . 400V
NTE5475. . . . . . . . . . . . . . . 500V
NTE5476. . . . . . . . . . . . . . . 600V
RMS de corriente directa, ITRMS 8A
Corriente de pico de sobretensión directa (un ciclo, 60Hz, TJ = −40 ° a + 100 ° C), ITSM. . . . . . . . . . . . . . 100A
Fusión de circuito (TJ = −40 ° a + 100 ° C, t ≤ 8.3ms), I2t 40A2. . . . . . . segundo
Peak Gate Power, PGM. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 5W
Potencia de puerta promedio, PG (AV). . . . . . . . . . . . . . . . 0.5W
Corriente de pico de puerta, IGM. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 2A
Voltaje pico de la puerta (Nota 2), VGM. . . . . . . . . . . 10V
Rango de temperatura de funcionamiento, TJ. . . . . . . . . −40 ° a + 100 ° C
Rango de temperatura de almacenamiento, Tstg. . . . . . . . . −40 ° a + 150 ° C
Resistencia térmica, unión a caja, RthJC. . . . . 2.5 ° C / W
Stud Torque. . . . . . . . . . . . . . ... . . . . . . . . . . . . . . . 15 pulg. Lb.
Nota 1. Las clasificaciones aplican para voltaje de puerta cero o negativo. Los dispositivos no deben ser probados para bloqueo
capacidad de tal manera que el voltaje aplicado excede el voltaje de bloqueo nominal.
Nota 2. Los dispositivos no deben funcionar con una polarización positiva aplicada a la puerta simultáneamente con un
potencial negativo aplicado al ánodo.

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