NTE5517

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$370.00
ninguna
Rectificador Controlado de Silicio,200V V(Drm),35A I(T),To-208Aa

NTE5517 hasta NTE5519
Rectificador controlado de silicio (SCR)
35 A, 1/2 "Ajuste a presión

Índices absolutos máximos:
Voltaje repetitivo pico en estado apagado (TJ = + 100 ° C), VDRM

NTE5517 200V
NTE5518 400V
NTE5519 600V

Voltaje inverso de pico repetitivo (TJ = + 100 ° C), VRRM

NTE5517 200V
NTE5518 400V
NTE5519 600V

RMS On-State Current (TC = + 75 ° C), IT (RMS) 35A

Sobretensión máxima (no repetitiva) en estado actual (un ciclo, 50Hz o 60Hz), ITSM 350A

Corriente máxima de disparo de puerta (3 μs máx.), IGTM 20A

Peak Gate-Disipación de potencia (IGT ≤ IGTM para 3μs Max), PGM 20W

Promedio de disipación de energía de la puerta, PG (AV) 0.5W

Rango de temperatura de funcionamiento, Topr −40 ° a + 150 ° C

Rango de temperatura de almacenamiento, Tstg −40 ° a + 100 ° C

Resistencia Térmica Típica, Unión a Caja, RthJC 0.9 ° C / W

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