NTE5818

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$295.00
ninguna
Modulo De Diodos, 200 V, 12 A, 1.4 V

NTE5818 a NTE5825
Rectificador de potencia de silicio
Recuperación rápida, 12 amperios, DO4

Descripción:
Los NTE5818 a NTE5825 son rectificadores de recuperación rápida de silicio en un paquete tipo DO4 que tiene un
Tiempo de recuperación típico de 150ns que proporciona una alta eficiencia a frecuencias de 250 kHz. Aplicaciones Típicas
Incluye fuentes de alimentación de CC, inversores, convertidores, sistemas ultrasónicos, choppers, baja interferencia de RF,
fuentes de alimentación de sonar y diodos de rueda libre.

Calificaciones máximas absolutas: (Nota 1)

Voltaje inverso repetitivo pico, VRRM
NTE5818, NTE5819 * 200V
NTE5820, NTE5821 * 400V
NTE5822, NTE5823 * 600 V
NTE5824, NTE5825 * 1000V

Voltaje inverso de trabajo pico, VRWM
NTE5818, NTE5819 * 200V NTE5821 * 400V
NTE5822, NTE5823 * 600 V
NTE5824, NTE5825 * 1000V

Voltaje de bloqueo de CC, VR
NTE5818, NTE5819 * 200V
NTE5820, NTE5821 * 400V
NTE5822, NTE5823 * 600 V
NTE5824, NTE5825 * 1000V

Voltaje inverso máximo no repetitivo, VRSM
NTE5818, NTE5819 * 250V
NTE5820, NTE5821 * 450V
NTE5822, NTE5823 * 660 V
NTE5824, NTE5825 * 1100V

RMS Tensión inversa, VR (RMS)
NTE5818, NTE5819 * 140V
NTE5820, NTE5821 * 280V
NTE5822, NTE5823 * 420 V
NTE5824, NTE5825 * 700V

Corriente directa rectificada promedio (monofásica, carga resistiva, TC = + 100 ° C), IO. . . . . . . . 12A

Corriente de pico pico no repetitiva, IFSM(Sobretensión aplicada en condiciones de carga nominal, un ciclo) 200A

Rango de temperatura de la unión operativa, TJ −65 ° a + 150 ° C

Rango de temperatura de almacenamiento, Tstg −65 ° a + 175 ° C

Resistencia Térmica, Unión a Caja, RthJC 2.0 ° C / W

Nota 1. La polaridad estándar es de cátodo a caja, (*) indica ánodo a caja.

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