Descripción



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móduloS IGBT 1200V 100A 3-PHASE
  • Fabricante : Infineon
  • Categoría de producto : Módulos IGBT
  • Producto : IGBT Silicon Modules
  • Configuración : Hex
  • Máx. voltaje VCEO colector-emisor : 1200 V
  • Voltaje de saturación colector-emisor : 2.15 V
  • Colector de Corriente Continua a 25 C : 140 A
  • Corriente de fuga puerta-emisor : 400 nA
  • Dp - Disipación de potencia  : 480 W
  • Paquete / Cubierta : EconoPACK 3B
  • Temperatura de trabajo mínima : - 40 C
  • Temperatura de trabajo máxima : + 125 C
  • Empaquetado : Tray
  • Altura : 17 mm
  • Longitud : 122 mm
  • Ancho : 62 mm
  • Estilo de montaje : Tornillo
  • Máximo voltaje puerta-emisor : +/- 20 V
  • Peso de la unidad : 300 g