IRFP250N Mosfet N 200V 30A IRFP250N

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Descripción



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IRFP250N MOSFET CANAL N 200V 30A

Tecnología de proceso avanzada
Calificación dinámica dv / dt
Temperatura de funcionamiento de 175 ° C
Cambio rápido
Avalancha completa
Facilidad de paralelismo
Requisitos de manejo simples

DESCRIPCIóN:

Los HEXFET de quinta generación de International Rectifier utilizan procesamiento avanzado
Técnicas para lograr una resistencia extremadamente baja por área de silicio. Este beneficio,
combinado con la velocidad de conmutación rápida y el diseñoo robusto del dispositivo que
Los MOSFET de potencia HEXFET son bien conocidos por proporcionar al diseñoador un
Dispositivo extremadamente eficiente y confiable para su uso en una amplia variedad de aplicaciones.
El paquete TO-247 se prefiere para aplicaciones comerciales industriales donde
Los niveles de potencia más altos impiden el uso de dispositivos TO-220. El TO-247 es similar
pero superior al anterior paquete TO-218 debido a su orificio de montaje aislado.