Transistor de Potencia RF NTE16003

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Descripción:
El NTE16003 es un transistor de potencia de RF en una caja tipo TO60 que emplea un electrodo de múltiples emisores
diseñoo. Esta característica junto con una matriz base muy difusa ubicada entre los emisores individuales da como resultado una alta capacidad de manejo de corriente de RF, alta ganancia de potencia, baja resistencia de base y baja capacitancia de salida. Este dispositivo está diseñoado para circuitos de amplificador, oscilador o multiplicador de frecuencia de clase A, B o C y está específicamente diseñoado para funcionar en la región VHF-UHF.
Clasificaciones máximas absolutas: (TA = + 25 ° C a menos que se especifique lo contrario)
Voltaje de colector-base, VCBO 65V
Voltaje del colector-emisor, VCEO 40V
Emisor-Voltaje base, VEBO 4V
Corriente continua de colector, IC (máx.) 1.5A
Disipación total del dispositivo (TC = + 25 ° C), PD 11.6W
Reducción por encima de 25 ° C 66.4mW / . ° C
Rango de temperatura de unión operativa, TJ €“65 ° a + 200 ° C
Rango de temperatura de almacenamiento, Tstg €“65 ° a + 200 ° C
Resistencia térmica, unión a caja, RthJC + 15 ° C / W
Características eléctricas: (TC = + 25 ° C a menos que se especifique lo contrario)