Transistor de silicio NPN de salida de RF NTE365

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Marca: NTE SKU: NTE365Categorías: Semiconductores - Discretos
Descripción



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NTE365
Transistor de silicio NPN
Potencia de salida de RF
PO = 15W @ 512MHz
Descripción:
El NTE365 es un transistor NPN de silicio diseñoado para aplicaciones de amplificador de señoal grande UHF de 12.5 voltios
en equipos FM industriales y comerciales que operan a 512MHz.
caracteristicas:
 12.5 voltios especificados, 470MHz Característica:
Potencia de salida = 15 volts
Ganancia mínima = 7.8dB
Eficiencia = 55%
 Caracterizado con parámetros de impedancia de señoal grande equivalentes en serie
 Red de correspondencia incorporada para operación de banda ancha
 Probado para determinar el esfuerzo de carga no coincidente en todos los ángulos de fase con 20: 1 VSWR @ 16-voltios High Line
y Overdrive
͍ndices absolutos máximos:
Voltaje del colector-emisor, VCEO ............................... 16V
Voltaje base de colector, VCBO ................................... 36V
Voltaje base del emisor, VEBO ...................................... 4V
Corriente de colector ˆ’ Continuo, IC .............................. 3A
Disipación total del dispositivo (TC = + 25C), PD .............. 50W
Reducción por encima de 25ï‚°C 250mW / .................................... ° C
Rango de temperatura de almacenamiento, Tstg ......................... ˆ’65 ° a + 150 ° C
Resistencia Térmica, Unión a Caja, RthJC ... 4.0 ° C / W