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BSM100GB120DN2

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Agotado

Marca: Genérico SKU: BSM100GB120DN2
Descripción


IGBT Modulos 1200V 100A DUAL

  • Fabricante: Infineon 
  • Categoría de producto: módulos IGBT
  • RoHS: detalles Producto: módulos de silicio IGBT
  • Configuración: medio puente
  • Max.Voltaje del colector-emisor VCEO: 1200 V
  • Voltaje de saturación colector-emisor: 2.5 V
  • Colector de corriente continua a 25 C: 150 A
  • Corriente de fuga del emisor de puerta: 200 nA
  • Dp - Disipación de potencia: 800 W
  • Paquete / Cubierta: medio puente 2
  • Temperatura mínima de trabajo: - 40 C
  • Temperatura máxima de trabajo: + 150 C
  • Embalaje: bandeja Altura: 30 mm
  • Longitud: 106,4 mm.
  • Tecnología: sí Ancho: 61,4 mm
  • Marca: Tecnologías Infineon
  • Estilo de montaje: montaje en chasis
  • Tensión máxima del emisor de puerta: 20 V