Módulo IGBT dual 1200V 100A BSM100GB120DN2

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IGBT módulos 1200V 100A DUAL

• Fabricante: Infineon 
• Categoría de producto: módulos IGBT
• RoHS: detalles Producto: módulos de silicio IGBT
• Configuración: medio puente
• Max.Voltaje del colector-emisor VCEO: 1200 V
• Voltaje de saturación colector-emisor: 2.5 V
• Colector de corriente continua a 25 C: 150 A
• Corriente de fuga del emisor de puerta: 200 nA
• Dp - Disipación de potencia: 800 W
• Paquete / Cubierta: medio puente 2
• Temperatura mínima de trabajo: - 40 C
• Temperatura máxima de trabajo: + 150 C
• Embalaje: bandeja Altura: 30 mm
• Longitud: 106,4 mm.
• Tecnología: sí Ancho: 61,4 mm
• Marca: Tecnologías Infineon
• Estilo de montaje: montaje en chasis
• Tensión máxima del emisor de puerta: 20 V