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móduloS IGBT 1200V 100A 3-PHASE
- Fabricante : Infineon
- Categoría de producto : Módulos IGBT
- Producto : IGBT Silicon Modules
- Configuración : Hex
- Máx. voltaje VCEO colector-emisor : 1200 V
- Voltaje de saturación colector-emisor : 2.15 V
- Colector de Corriente Continua a 25 C : 140 A
- Corriente de fuga puerta-emisor : 400 nA
- Dp - Disipación de potencia : 480 W
- Paquete / Cubierta : EconoPACK 3B
- Temperatura de trabajo mínima : - 40 C
- Temperatura de trabajo máxima : + 125 C
- Empaquetado : Tray
- Altura : 17 mm
- Longitud : 122 mm
- Ancho : 62 mm
- Estilo de montaje : Tornillo
- Máximo voltaje puerta-emisor : +/- 20 V
- Peso de la unidad : 300 g