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Descripción



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NGD8201ANT4G IGBT SINGLE N-CH 440V 20A TO-252-3

Encendido IGBT
20 A, 400 V, canal N DPAK

Características de este transistor bipolar de puerta aislada de nivel lógico (IGBT)
circuitería monolítica que integra ESD y sobretensión sujeta
Protección para su uso en aplicaciones de controladores de bobina inductiva. Usos primarios
incluyen encendido, inyección directa de combustible, o donde sea alto voltaje y Se requiere conmutación de alta corriente.

Caracteristicas

  • Ideal para aplicaciones de bobina-en-enchufe y controlador-en-bobina
  • El paquete DPAK ofrece una huella más pequeñoa para aumentar el espacio de la placa
  • Protección ESD Gate-Emitter
  • Límites de abrazadera de voltaje del colector de compuerta con temperatura compensada
    Estrés aplicado a la carga
  • Protección integrada de diodos ESD
  • Voltaje de umbral bajo para interconectar cargas de energía a lógica o
    Dispositivos de microprocesador
  • Bajo voltaje de saturación
  • Alta capacidad de corriente pulsada
  • Estos son dispositivos libres de Pb
    Aplicaciones
  • Sistemas de encendido