Transistor NPN Si-Rf Pwr Amp Cb NTE322

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NTE322
Transistor de silicio NPN
Potencia de salida de RF

Descripción:
El NTE322 es un transistor de potencia de RF NPN de silicio en un paquete de tipo TO202N diseñoado para su uso en Citizen-Band y otros equipos de comunicaciones de alta frecuencia que funcionan a 30MHz. Los voltajes de ruptura más altos permiten un alto porcentaje de modulación ascendente en los circuitos de AM.

caracteristicas:

• Potencia de salida: 3.5W (Min) @ VCC = 13.6V
• Ganancia de energía: 11.5dB (Min)
• Alto voltaje de ruptura del emisor del colector: V (BR) CES ‰¥ 65V
• Ganancia de corriente CC: lineal a 500 mA

͍ndices absolutos máximos:

• Voltaje del colector-emisor, VCES 65V
• Emisor-Voltaje base, VEB 3V
• Corriente continua de colector, IC 500mA
• Disipación de potencia total (TA = + 25 ° C), PD 1.0W
• Reducción por encima de 25 ° C 8.0mW / ° C
• Disipación de potencia total (TC = + 25 ° C), PD 10W
• Reducción por encima de 25 ° C 80mW / ° C
• Rango de temperatura de unión operativa, TJ €“55 ° a + 150 ° C
• Rango de temperatura de unión de almacenamiento, Tstg €“55 ° a + 150 ° C
• Resistencia térmica, unión a caja, RthJC 12.5 ° C / W
• Resistencia térmica, unión al ambiente (Nota 1), RthJA 125 ° C / W

Nota 1. RthJA se mide con el dispositivo soldado en una placa de circuito impreso típica