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Transistor NPN RF NTE347

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Agotado

Marca: NTE SKU: NTE347Categorías: Semiconductores - Discretos
Descripción



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NTE347
Transistor de silicio NPN
Potencia de salida de RF
PO = 3W @ 175MHz

Descripción:
El NTE347 está diseñoado para aplicaciones de amplificador de potencia de señoal grande VHF de 13.6 voltios requeridas en equipos militares e industriales que operan a 240MHz.

caracteristicas:
Paquete stripline de baja inductancia de plomo para un diseñoo más fácil y una mayor capacidad de banda ancha.
Construcción equilibrada del emisor para aumentar el área de operación segura.

El NTE347 está diseñoado.
para soportar una carga abierta o en corto a la potencia de salida nominal.
Especificado 13.6 voltios, 175MHz Características

Potencia de salida = 3.0 volts

Ganancia mínima = 8.2dB

Eficiencia = 50%

Clasificaciones máximas absolutas: (TA = + 25 ° C a menos que se especifique lo contrario)

Voltaje del colector-emisor, VCEO 18V

Voltaje base del colector, VCB 36V

Voltaje base del emisor, VEB 4.0V

Corriente continua de colector, IC 0.6A

Disipación total del dispositivo (TA = + 25 ° C), PD 15W

Reducción por encima de 25 ° C 86mW / ° C

Rango de temperatura de unión operativa, TJ ˆ’65 ° a + 200 ° C

Rango de temperatura de almacenamiento, Tstg ˆ’65 ° a + 200 ° C