Transistor NPN Si-Hi 7W NTE475

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NTE475
Transistor de silicio NPN
Potencia de salida de RF
Descripción:
El NTE475 es un transistor de potencia de RF anular de silicio NPN, optimizado para amplificador de potencia a gran escala
y aplicaciones de controlador a 300MHz.
Clasificaciones máximas absolutas: (TA = + 25 ° C a menos que se especifique lo contrario)
Voltaje del colector-emisor, VCEO 18V

Voltaje base-colector, VCB 36V

Emisor-Voltaje base, VEB 4V

Corriente de colector, IC 1.5A

Disipación de potencia (TC = + 25 ° C), PD 11.6W

Reducción por encima de 25 ° C 66.3mW / ° C

Rango de temperatura de unión operativa, TJ  €“65 ° a + 200 ° C

Rango de temperatura de almacenamiento, Tstg  €“65 ° a + 200 ° C