SI9945DY MOSFET

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SI9945DY MOSFET DUAL N-CH

SI9945DY MOSFET DUAL N-CH

Si9945DY *
MOSFET de modo de mejora de doble canal N
Descripción general
Estos MOSFET de modo de mejora de canal N son
producido utilizando el avance de Fairchild Semiconductor
proceso que ha sido especialmente diseñado para minimizar
resistencia en estado y aún así mantener una conmutación superior
actuación.
Estos dispositivos son muy adecuados para baja tensión y
aplicaciones alimentadas por batería donde baja potencia en línea
se requieren pérdidas y cambios rápidos.
Aplicaciones
• interruptor de la batería
• Interruptor de carga
• controles del motor
Junio ​​de 1999
Caracteristicas
• 3.3 A, 60 V. RDS (ENCENDIDO) = 0.100 Ω @ VGS = 10 V
RDS (ENCENDIDO) = 0.200 Ω @ VGS = 4.5 V
• Carga baja en la puerta.
• Velocidad de conmutación rápida.
• Alta potencia y capacidad de manejo de corriente

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