Transistor JFET N 35V J111

ḾXIMOS RATINGS
Símbolo de calificación Unidad de valor
Drain-Gate Voltage VDG ˆ’35 Vdc
Voltaje de compuerta-fuente VGS -35 Vcc
Corriente de puerta IG 50 mAdc
Disipación total del dispositivo @ TA = 25 ° C
Reducción anterior = 25 ° C
PD 350
2.8
mW
mW / ° C
Temperatura de plomo TL 300 ° C
Unión de operación y almacenamiento
Rango de temperatura
TJ, Tstg ˆ’65 a +150 ° C

Las clasificaciones máximas son aquellos valores más allá de los cuales puede ocurrir dañoo al dispositivo.
Las clasificaciones máximas aplicadas al dispositivo son valores límite de tensión individuales (no
condiciones normales de funcionamiento) y no son válidas simultáneamente. Si estos límites son
excedido, la operación funcional del dispositivo no está implícita, se pueden producir dañoos y
La fiabilidad puede verse afectada.