Transistor NPN RF 100W 175MHz NTE478

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Transistor NPN

Potencia de salida de RF, PO = 100W @ 175MHz

Descripción: El NTE478 es un transistor plano NPN de silicio epitaxial de 12.5 volts diseñoado principalmente para comunicaciones VHF. Este dispositivo utiliza resistencias emisoras difusas para lograr un VSWR infinito en funcionamiento condiciones, y se combina internamente para optimizar la ganancia de potencia y la eficiencia en la banda.

caracteristicas: Diseñoado para equipos militares y comerciales VHF 100W Min con ganancia mayor a 6.0dB Resiste VSWR infinito en condiciones de funcionamiento Baja distorsión de intermodulación (€“32dB)

• Resistencias de emisor difuso Clasificaciones máximas absolutas: (TC = + 25 ° C a menos que se especifique lo contrario)
• Voltaje base del colector, VCBO: 36V Voltaje del colector-emisor, VCEO: 18V Emisor €“ Voltaje base, VEBO: 4V Corriente máxima del colector
• IC: 20A Disipación total del dispositivo (a + 25 ° C)
• Ptot: 270W Temperatura de unión de operación
• TJ: + 200 ° C Rango de temperatura de almacenamiento
• Tstg: €“65 ° a + 150 ° C Resistencia Térmica, Unión a Caja, RthJC: 65 ° C / W