IGBT N silicon 500V 100A MG100H2YS1

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GTR módulo SILICON N CANAL IGBT MG100H2YS1

APLICACIONES DE ALTA POTENCIA

CARACTERISTICAS
Alta impedancia de entrada
Alta velocidad
Bajo voltaje de saturación 5.0V Max
Modo de mejora
Incluye un medio puente completo en un paquete.
Los electrodos están aislados de la carcasa.