Descripción
GTR MODULO SILICON N CANAL IGBT MG100H2YS1
APLICACIONES DE ALTA POTENCIA
CARACTERISTICAS
Alta impedancia de entrada
Alta velocidad
Bajo voltaje de saturación 5.0V Max
Modo de mejora
Incluye un medio puente completo en un paquete.
Los electrodos están aislados de la carcasa. 
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