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MOSFET N 500V NTE2923

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Agotado

Marca: NTE SKU: NTE2923Categorías: Semiconductores - Discretos
Descripción



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NTE2923
MOSFET
N-Ch, modo de mejora
Interruptor de alta velocidad
Paquete tipo TO247

caracteristicas:
 Calificación dinámica dv / dt
 Avalancha repetitiva clasificada
 Orificio de montaje central aislado
 Cambio rápido
 Facilidad de paralelismo
 Requisitos de manejo simples

͍ndices absolutos máximos:
Intensidad Drenador Continua (VGS = 10V), ID

TC = + 25C 8.8A

TC = + 100C 5.6A

Intensidad de drenaje pulsada (Nota 1), IDM 35A

Disipación de potencia (TC = + 25C), PD 150W

Reducción lineal por encima de 25C 1.2W / C

Voltaje de puerta a fuente, VG 20

Energía de avalancha de pulso único (Nota 2), EAS 480mJ

Corriente de avalancha (Nota 1), IA 8.8A

Energía de avalancha repetitiva (Nota 1), EAR 15mJ

Peak Diode Recovery dv / dt (Nota 3), dv / dt 3.5V / ns

Rango de temperatura de unión operativa, TJ ˆ’55 a + 150C

Rango de temperatura de almacenamiento, Tstg ˆ’55 a + 150C

Temperatura del plomo (durante la soldadura, 1,6 mm desde la carcasa durante 10 segundos), TL + 300C

Par de montaje (tornillo 6ˆ’32 o M3) 10 lbf in ( 1.1Nm)

Resistencia térmica, unión a caja, RthJC 0.83C / W

Resistencia Térmica, Unión a Ambiente, RthJA 40C / W

Resistencia térmica típica, caja a fregadero (plana, superficie engrasada), RthCS 0.24C / W

Nota 1. Calificación repetitiva; ancho de pulso limitado por la temperatura máxima de unión.

Nota 2. VDD = 50V, comenzando TJ = + 25C, L = 11mH, RG = 25, IAS = 8.8A

Nota 3. ISD 8.8A, di / dt 100A / s, VDD 500V, TJ + 150C