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Transistor NTE2924

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Agotado

Marca: NTE SKU: NTE2924Categorías: Semiconductores - Discretos
Descripción



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NTE2924
MOSFET
N-Ch, modo de mejora
Interruptor de alta velocidad
Paquete tipo TO247

caracteristicas:
Calificación dinámica dv / dt

Avalancha repetitiva clasificada

Orificio de montaje central aislado

Cambio rápido

Facilidad de paralelismo

Requisitos de manejo simples

͍ndices absolutos máximos:

Intensidad Drenador Continua (VGS = 10V), ID

TC = + 25C 6.8A

TC = + 100C 4.3A

Intensidad de drenaje pulsada (Nota 1), IDM 27A

Disipación de potencia (TC = + 25C), PD 150W

Reducción lineal por encima de 25C 1.2W / C

Voltaje de puerta a fuente, VGS 20

Energía de avalancha de pulso único (Nota 2), EAS 410mJ

Corriente de avalancha (Nota 1), IAR 6.8A

Energía de avalancha repetitiva (Nota 1), EAR 15mJ

Peak Diode Recovery dv / dt (Nota 3), dv / dt 3V / ns

Rango de temperatura de unión operativa, TJ ˆ’55 a + 150C

Rango de temperatura de almacenamiento, Tstg ˆ’55 a + 150C

Temperatura del plomo (durante la soldadura, 1,6 mm desde la carcasa durante 10 segundos), TL + 300C

Par de montaje (tornillo 6ˆ’32 o M3) 10 lbf  in ( 1.1Nm)

Resistencia térmica, unión a caja, RthJC  0.83C / W

Resistencia Térmica, Unión a Ambiente, RthJA 40C / W

Resistencia térmica típica, caja a fregadero (plana, superficie engrasada), RthCS  0.24C / W

Nota 1. Calificación repetitiva; ancho de pulso limitado por la temperatura máxima de unión.

Nota 2. VDD = 50V, comenzando TJ = + 25C, L = 16mH, RG = 25, IAS = 6.8A

Nota 3. ISD 6.8A, di / dt 80A / s, VDD 600V, TJ + 150C
Rev. 10ˆ’13

Nota 4. Pules Ancho 300 s, Ciclo de trabajo 2%.