Transistor NPN RF 20W/50Mhz NTE338

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NTE338
Transistor de silicio NPN
Controlador de amplificador de potencia RF
PO = 20W
͍ndices absolutos máximos:

Voltaje del colector-emisor, VCEO 24V

Voltaje base del colector, VCB 48V

Voltaje base del emisor, VEB 4V

Corriente de colector, IC 3.5A

Corriente base, IB 0.5A

Disipación total del dispositivo, PD 50W

Rango de temperatura de unión operativa, TJ  ˆ’65 ° a + 200 ° C

Rango de temperatura de almacenamiento, Tstg  ˆ’65 ° a + 200 ° C