NTE354

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Marca: Genérico SKU: NTE354
Descripción


NTE354
Transistor PNP de silicio
Potencia de salida de RF
PO = 15W @ 175MHz

Descripción:
El NTE354 está diseñoado para aplicaciones de amplificador de señoal grande VHF de 12.5 voltios requeridas en militares y
Equipos industriales que operan a 250MHz.

caracteristicas:
 Construcción de emisor equilibrado con diseñoo de resistencia isotérmica para proporcionar al diseñoador
El óptimo en robustez del transistor.

Empaque Stripline de inductancia baja en plomo para un diseñoo más fácil y mayores capacidades de banda ancha
 Paquete de bridas para un fácil montaje y una mejor conductividad térmica al disipador de calor.
 Excepcional estabilidad de salida de potencia versus temperatura.

͍ndices absolutos máximos:

Voltaje del colector-emisor, VCEO 18V

Voltaje base del colector, VCBO 36V

Voltaje base del emisor, VEBO 4V

Corriente de colector ˆ’ Continuo, IC 2.5A

Disipación total del dispositivo (TC = + 25 ° C, Nota 1), PD 20W

Reducción por encima de 25 ° C 114mW / ° C

Rango de temperatura de almacenamiento, Tstg ˆ’65 ° hasta + 200 ° C

Nota 1. Este dispositivo está diseñoado para funcionar con RF. La clasificación de disipación total del dispositivo solo se aplica
cuando el dispositivo funciona como un amplificador de RF.