NTE476

Descripción:
El NTE476 es un transistor plano de NPN epitaxial de silicio que emplea un diseñoo de electrodo de múltiples emisores. Esta característica junto con una matriz base muy difusa ubicada entre los emisores individuales
da como resultado una alta capacidad de manejo de corriente de RF, alta ganancia de potencia, baja resistencia de base y baja capacitancia de salida. Este dispositivo está diseñoado para usarse como amplificador de clase A, B o C y en oscilador y frecuencia
circuitos multiplicadores
caracteristicas:
Diseñoado para transmisores móviles y marinos VHF
Alta eficiencia con la máxima estabilidad.
Metalización mejorada para lograr robustez extrema
Clasificaciones máximas absolutas: (TA = + 25 ° C excepto donde se especifique)
Voltaje de colector-base, VCBO 36V
Voltaje del colector-emisor, VCEO 18V
Emisor-Voltaje base, VEBO 4V
Corriente continua de colector, ICmax 3A
Disipación total a 25 ° C Stud, PD 23,2 W
Resistencia térmica, unión a espárrago, RthJC 7.54 ° C / W
Rango de temperatura de unión, TJ €“65 ° a 200 ° C
Rango de temperatura de almacenamiento, Tstg €“65 ° a 200 ° C