Transistor PNP Audio NTE59

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NTE58 (NPN) y NTE59 (PNP)
Transistores Complementarios de Silicio
Salida de audio de alta potencia

caracteristicas:
Disipación de alta potencia
Amplia área de operación segura

Clasificaciones máximas absolutas: (TA = + 25 ° C a menos que se especifique lo contrario)

Voltaje de colector-base, VCBO 200V

Voltaje del colector-emisor, VCEO 200V

Emisor-Voltaje base, VEBO 6V

Corriente continua de colector, IC 17A

Corriente base continua, IB 5A

Disipación total del dispositivo (TFL = + 25 ° C), PC 200W

Temperatura de unión, TJ + 150 ° C

Rango de temperatura de almacenamiento, Tstg €“55 ° a + 150 ° C