Amplificador si-hi NTE72

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NTE72
Transistor de silicio NPN
Amplificador de alta corriente, cambio rápido
caracteristicas:
Alta potencia: 100W @ TC = + 50 ° C, VCE = 40V
Alto voltaje: VCEO = 80V Min
Alto voltaje de saturación de corriente: VCE (sat) = 1.5V @ 10A
Alta frecuencia: fT = 30MHz Min
Paquete de colector aislado, no requiere hardware de aislamiento
Calificaciones máximas absolutas: (Nota 1)
Voltaje del colector-emisor, VCES 100V

Voltaje del colector-emisor (Nota 2), VCEO 80V

Emisor-Voltaje base, VEBO 6V

Corriente de colector, IC 10 A

Disipación de potencia total (TC = + 50 ° C, VCE = 40V), PT 100W

Rango de temperatura de la unión operativa, Topr  €“65 ° a + 200 ° C

Rango de temperatura de almacenamiento, Tstg €“65 ° a + 200 ° C

Temperatura del plomo (durante la soldadura, 60 segundos máx.), TL + 300 ° C

Nota 1. Estas clasificaciones son valores limitantes por encima de los cuales la capacidad de servicio del transistor NTE72 puede
estar deteriorado

Nota 2. Esta clasificación se refiere a un punto de alta corriente donde el voltaje del colector-emisor es más bajo