Transistor NPN Alta Potencia 100V NTE96

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NTE96 Transistor de silicio NPN Cambio de potencia

͍ndices absolutos máximos: Voltaje base de colector, VCBO 100V

Voltaje del colector-emisor, VCEO 100V

Voltaje base del emisor, VEBO 6V

Corriente de colector, IC 7A

Disipación de potencia total (TC = + 25 ° C), PD 60W

Rango de temperatura de unión operativa, Tj (oper) ˆ’65 ° a + 200 ° C

Rango de temperatura de almacenamiento, Tstg  ˆ’65 ° a + 200 ° C

Características eléctricas: (TC = + 25 ° C a menos que se especifique lo contrario)